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SiC外延片产业化技术开发
SiC外延片产业化技术开发
666
2019/04/08
基本信息
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需求标题
SiC外延片产业化技术开发
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需求主体
企业用户
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行业领域
其他电子信息
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需求介绍
希望提供：SiC外延生长过程中缺陷形成机理方面的研究；SiC外延生长过程中缺陷抑制技术的开发。希望最终实现：1.针对4英寸、6英寸4H-SiC外延生长，探索研究三角形缺陷、层错等缺陷的形成机制；2.开发出低缺陷密度的高质量4英寸、6英寸4H-SiC外延片，实现表面三角形缺陷密度小于0.2 cm-2，层错密度小于0.5 cm-2。
交易信息
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项目总投资
面议
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交易方式
其他
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截止日期
2021/04/15
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使用区域
陕西省-西安市-新城区
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联系人姓名
西安电子科技大学
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联系人电话
15802954800
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分享至：
交易信息
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项目总投资
面议
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交易方式
其他
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截止日期
2021/04/15
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使用区域
陕西省-西安市-新城区
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联系人姓名
西安电子科技大学
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联系人电话
15802954800
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